• 深部线圈

    深部经颅磁H线圈是利用感应电场矢量叠加的原理,采用特殊头盔式结构设计使刺激线圈靶点定向与头皮相切,让不相切的线圈元素尽量减少,从而加强在深部靶组织中的感应电场,同时减少在非靶组织中的剌激强度。

    线圈材质是导电多股漆包线保证线圈可以尽量贴合头皮,底座部分导线呈一定的间隔分布,减少了对浅层皮质的剌激强度,当线圈放电时,不同位置的导线在深部产生感应电场相互叠加,形成更深、更宽的完整感应电场,达到深部剌激的目的。


    H7线圈

    内侧前额叶皮层(包括前扣带皮层)

    2018年,FDA批准英智科技的深部经颅磁刺激系统(H7线圈:DEN170078)用于治疗强迫症。此外,H7线圈也可用于偏头痛、眼睑痉挛、慢性疼痛、可卡因成瘾、Tourette综合症等疾病的治疗。


    h7


    H1线圈

    双侧前额叶皮质(偏向左侧)

    2013年,FDA批准英智科技的深部经颅磁刺激系统(H1线圈:K122288)用于治疗重度抑郁症。2021年,FDA扩大其适用领域,批准H1线圈用于治疗焦虑抑郁症。此外,H1线圈也可用于创伤后应激障碍、双向情感障碍、精神分裂等疾病的治疗。


    H1


    H4线圈

    双侧岛叶和前额叶皮层

    2020年,FDA批准英智科技的深部经颅磁刺激系统(H4线圈:K200957)用于成年人戒除烟瘾。此外,H4线圈也可用于酒精成瘾、毒品成瘾、网瘾等疾病的治疗。


    h4 

    H线圈的优势

    更大的刺激面积
    与其它商业线圈相比,H线圈产生的磁场覆盖范围更广。
    更深的刺激强度
    刺激深度6-8cm,可有效刺激大脑深部核团 。
    丰富的线圈与结构形态
    结构多样,可以根据不同的刺激区域,改变不同的结构形态特征 。
    更强的抗外界干扰
    底座设计可减弱静电场对脉冲磁场的影响。
    磁场衰减的更慢
    采用磁场矢量叠加设计,磁场衰减比其它类型的商业线圈衰减的更慢。
    持久的刺激持续时间
    采用高效率冷空气降温技术,可保证长时间持续刺激治疗。


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