经颅磁刺激左VLPFC或右DLPFC可促进工作记忆中的遗忘

对于WM-DF任务，每次试验开始时固定500毫秒。然后，在固定的左右两侧分别呈现两个项目，持续1000 ms。在500 ms空白后，在注视的一侧呈现一个提示，持续500 ms。在4000毫秒的空白之后，搜索数组将呈现长达5000毫秒的时间，并在受试者按键后消失。在1000毫秒的空白之后，进行记忆测试，并在2000毫秒进行反应（图1）。正式实验包括240个试次（每种情况40个试次）。每组60个试次后，受试者进行短暂休息（2分钟）。

在记忆测试中，受试者被要求通过按键盘上的“Z”或“M”来反应所呈现的项目是否与TBR项目相同。记忆测试只测试TBR（有意TBR和替代TBR）项的记忆。

4、TMS刺激方案
使用经颅磁刺激仪（M-100 Ultimate，深圳英智科技有限公司，中国深圳）的八字形线圈（BY-90A）进行10Hz的高频刺激，刺激强度设置为110%的静息运动阈值（RMT）。
线圈的位置根据国际10-20 EEG系统确定，其中F4为右侧DLPFC的位置，F7为左侧VLPFC刺激的位置，Cz代表顶点，由于顶点刺激对正在进行的任务相关过程的影响最小，因此本研究中用作控制条件。
经颅磁刺激分别作用在左腹外侧前额叶皮层（VLPFC）、右背外侧前额叶皮层（DLPFC）和顶点区。利用SimNIBS软件对模拟电场进行了图示（图1）。一共进行了33次刺激，每次持续3秒，每次刺激间隔20s，在12.2 min内的脉冲总数为990次。

5、数据分析
对于视觉搜索任务，分别以搜索类型（有意TBR匹配、被动TBR匹配、替代TBR匹配、主动TBR匹配、IR不匹配和IF不匹配）和刺激位置组（右DLPFC、左VLPFC和顶点）作为被试间因素对搜索精度和logRT进行重复测量方差分析。不同项目类型的ACE是通过从匹配试验中减去不匹配试验的logRT来计算的。
对于ACE，以项目类型（有意TBR、被动TBF、替代TBR和主动TBF）作为被试内变量，以组为被试间变量，进行重复测量方差分析。


三、研究结果
1、视觉搜索任务的结果
对于检索精度，方差分析显示实验类型是主要影响因素。两两比较显示：
(1)与替代TBR匹配和主动TBR匹配实验相比，IF不匹配的准确性更高。
(2)被动TBF匹配试验的准确性高于非IR匹配试验；在有意TBR匹配试验和IR非匹配试验之间没有发现准确性差异。各组主效应和实验类型与组间交互作用均不显著。

简单效应分析显示：
(1)三组中，与IR不匹配的试验（即有意TBR项目的ACE）相比，有意TBR匹配的logRT更长。
(2)在左侧VLPFC组中，被动TBF匹配组的logRT（即被动TBF项目的ACE）比IR不匹配组更长，而在顶点组和右侧DLPFC组中则没有。
(3)与IF不匹配试验相比，三组替代TBR匹配和主动TBF匹配实验（即替代TBR和主动TBF项目的ACE）的logRT均较长。（表1）


ACE项目类型与组交互作用显著。简单效应分析结果表明：
(1)三组TBR（有意TBR和替代TBR）项目的ACE均大于TBF（被动TBF和主动TBF）项目；
(2)顶点组替代TBR的ACE大于有意TBR项目，而右DLPFC组和左VLPFC组的ACE均大于有意TBR项目；顶点组主动TBF的ACE大于被动TBF，但右DLPFC组和左VLPFC组的ACE均大于被动TBF ；
(3)对于有意TBR，与顶点组相比，右侧DLPFC 和左侧VLPFC的ACE均增加。右侧DLPFC组与左侧VLPFC组间无差异；
(4)对于替代TBR，左侧VLPFC组和顶点组的ACE均大于右侧DLPFC组和顶点组。左侧VLPFC与顶点组间无差异；
(5)对于被动TBF，左侧VLPFC与顶点组相比ACE值较大，但与右侧DLPFC组相比ACE值较小，右侧DLPFC与顶点组之间无差异；
(6)与顶点组相比，右侧DLPFC组和左侧VLPFC组的ACE均有所降低。右侧DLPFC组和左侧VLPFC组间无显著差异（图2）。

表1 不同组中不同搜索类型的平均搜索RT

四、研究结论
除了右侧DLPFC和顶点组的被动TBF项目外，所有项目类型的反应时都比干扰物匹配实验（即ACE）更长。这些记忆项目作为搜索数组中的干扰物捕获了受试者的注意力，表明这些项目被保存在工作记忆中。更重要的是，与 TBF 项目相比，TBR 项目在所有组中都表现出更高的 ACE 值，这表明 TBR 项目在记忆痕迹方面优于 TBF 项目（即 DF 效应）。这些发现表明，受试者能够根据线索成功地操纵工作记忆中存储的信息。
刺激右DLPFC或左VLPFC能够促进主动遗忘。右侧DLPFC的激活可能会改善主动忘记（TBF）项目的直接抑制，从而促进在涉及明确记忆线索的条件下对要记住（TBR）项目的选择性重复。左侧VLPFC的激活可以改善思维替代过程，在与明确遗忘提示有关的条件下增强对TBR项目的记忆和对TBF项目的记忆抑制。遗忘是一个主动的过程，可以通过非侵入性的大脑刺激来调节。